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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	2A
Courant du drain dans l'impulsion	8A
Puissance de dissipation	2,2W
Boîtier	SOT223
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	236mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	2,9nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDT86246

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 2A; Idm: 8A; 2,2W; SOT223

Spécification