FF200R12KS4HOSA1
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Marque du fabricant:
FF200R12KS4HOSA1
Référence TME:
FF200R12KS4HOSA1
Spécification
Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor/transistor | |
Topologie | demi-pont IGBT | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 200A | |
Boîtier | AG-62MM-1 | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 400A | |
Puissance de dissipation | 1,4kW | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut340 g
Certificates
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* FF200R12KS4HOSA1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 165.67 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 165.67 USD