FF200R12KT3EHOSA1
Module: IGBT; transistor/transistor,émetteur commun; IGBT x2
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Marque du fabricant:
FF200R12KT3EHOSA1
Référence TME:
FF200R12KT3E
Spécification
Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | émetteur commun, transistor/transistor | |
Topologie | IGBT x2 | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 200A | |
Boîtier | AG-62MM-1 | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 400A | |
Puissance de dissipation | 1,05kW | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut340 g
Certificates
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* FF200R12KT3EHOSA1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 150.96 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 150.96 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 133.54 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 133.54 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 120.77 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 120.77 USD