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FGA40N65SMD

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGA40N65SMD
Référence TME:
FGA40N65SMD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
174W
Boîtier
TO3P
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
119nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5.213 g
Certificates
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FGA40N65SMD
59 dans l'entrepôt TME
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs