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FGA40T65SHD

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGA40T65SHD
Référence TME:
FGA40T65SHD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
134W
Boîtier
TO3P
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
72,2nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5.215 g
Certificates
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FGA40T65SHD
428 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.79 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.79 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.69 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.69 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.19 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.19 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 2.09 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 2.09 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs