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FGA60N65SMD

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGA60N65SMD
Référence TME:
FGA60N65SMD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
60A
Puissance de dissipation
300W
Boîtier
TO3PN
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
180A
Montage
THT
Charge d'entrée
284nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5.264 g
Certificates
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FGA60N65SMD
96 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 5.67 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 5.67 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 5.15 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 5.15 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 4.37 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 4.37 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 3.69 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 3.69 USD
Prix net pour les quantités de 60 pcs - 3.56 USDPrix brut pour les quantités de 60 pcs - 3.56 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs