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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	650V
Courant du collecteur	60A
Puissance de dissipation	153W
Boîtier	TO3PN
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	180A
Montage	THT
Charge d'entrée	84nC
Genre de la emballage	tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	integrated anti-parallel diode

FGA6560WDF

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 153W; TO3PN

Spécification