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FGAF40N60SMD

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGAF40N60SMD
Référence TME:
FGAF40N60SMD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
58W
Boîtier
TO3PF
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
119nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut6 g
Certificates
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FGAF40N60SMD
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