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FGD5T120SH

Transistor: IGBT; 1,2kV; 5A; 28W; DPAK; systèmes d'allumage; ESD

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGD5T120SH
Référence TME:
FGD5T120SH

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
5A
Puissance de dissipation
28W
Boîtier
DPAK
Tension entrée - émetteur
±25V
Courant du collecteur d'impulsion
12,5A
Montage
SMD
Charge d'entrée
6,7nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
logic level
Utilisation
systèmes d'allumage
Version
ESD
Poids brut0.388 g
Certificates

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FGD5T120SH
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs