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FGH40N60SFDTU

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGH40N60SFDTU
Référence TME:
FGH40N60SFDTU

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
116W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,12µC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5.017 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors IGBT THT ONSEMI,
*
FGH40N60SFDTU
138 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 4.82 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 4.82 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 4.30 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 4.30 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 3.49 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 3.49 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.81 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.81 USD
Prix net pour les quantités de 60 pcs - 2.72 USDPrix brut pour les quantités de 60 pcs - 2.72 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs