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FGH40N60UFDTU

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGH40N60UFDTU
Référence TME:
FGH40N60UFDTU

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
116W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,12µC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut4.987 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors IGBT THT ONSEMI,
*
FGH40N60UFDTU
115 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.88 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.88 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.53 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.53 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.17 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.17 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 2.05 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 2.05 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs