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FGH50T65UPD

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGH50T65UPD
Référence TME:
FGH50T65UPD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
170W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
THT
Charge d'entrée
230nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut6 g
Certificates
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FGH50T65UPD
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