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FGH60N60SMD

Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGH60N60SMD
Référence TME:
FGH60N60SMD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
60A
Puissance de dissipation
300W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
180A
Montage
THT
Charge d'entrée
284nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut4.93 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors IGBT THT ONSEMI,
*
FGH60N60SMD
329 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 6.81 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 6.81 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 4.51 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 4.51 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 4.06 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 4.06 USD
Prix net pour les quantités de 60 pcs - 3.92 USDPrix brut pour les quantités de 60 pcs - 3.92 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs