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FGH75T65UPD

Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FGH75T65UPD
Référence TME:
FGH75T65UPD

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
75A
Puissance de dissipation
187W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
225A
Montage
THT
Charge d'entrée
385nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut6 g
Certificates
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FGH75T65UPD
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