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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	600V
Courant du collecteur	40A
Puissance de dissipation	116W
Boîtier	TO247-3
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	160A
Montage	THT
Charge d'entrée	0,12µC
Genre de la emballage	tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	integrated anti-parallel diode

FGH80N60FDTU

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3

Spécification