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FJD5553TM

Transistor: NPN; bipolaire; 400V; 3A; 1,25W; DPAK

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FJD5553TM
Référence TME:
FJD5553TM

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
NPN
Polarisation
bipolaire
Tensions collecteur-émetteur
400V
Courant du collecteur
3A
Puissance de dissipation
1,25W
Boîtier
DPAK
Renforcement du transistor
30...60
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Poids brut1 g
Certificates

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FJD5553TM
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