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Fabricant	IXYS
Type de transistor	N-MOSFET x2
La technologie	TrenchT2™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	75V
Courant du drain	120A
Courant du drain dans l'impulsion	500A
Puissance de dissipation	170W
Boîtier	ISOPLUS i4-pac™ x024a
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	5,8mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	178nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	série double
Temps d'attente	66ns

FMM150-0075X2F

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolaire; 75V; 120A; 170W

Spécification