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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | HiPerFET™, Trench | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 250V | |
Courant du drain | 30A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 130A | |
Puissance de dissipation | 125W | |
Boîtier | ISOPLUS i4-pac™ x024a | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Résistance en état de conduction | 60mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 78nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi | |
Construction de semi-conducteur | série double | |
Temps d'attente | 84ns |