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FQA140N10

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQA140N10
Référence TME:
FQA140N10

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
99A
Courant du drain dans l'impulsion
560A
Puissance de dissipation
375W
Boîtier
TO3PN
Tension entrée-source
±25V
Résistance en état de conduction
10mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
285nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5.21 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N ONSEMI,
*
FQA140N10
12 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 7.79 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 7.79 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 6.40 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 6.40 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 5.08 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 5.08 USD
Prix net pour les quantités de 60 pcs - 4.91 USDPrix brut pour les quantités de 60 pcs - 4.91 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs