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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	120A
Courant du drain dans l'impulsion	680A
Puissance de dissipation	375W
Boîtier	TO3PN
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	5,6mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	290nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

FQA170N06

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 120A; Idm: 680A; 375W; TO3PN

Spécification