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FQA24N60

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 14,9A; 310W; TO3PN

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQA24N60
Référence TME:
FQA24N60

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
14,9A
Puissance de dissipation
310W
Boîtier
TO3PN
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,24Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
145nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5.15 g
Certificates
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FQA24N60
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs