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FQA70N10

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 49,5A; 214W; TO3PN

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQA70N10
Référence TME:
FQA70N10

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
49,5A
Puissance de dissipation
214W
Boîtier
TO3PN
Tension entrée-source
±25V
Résistance en état de conduction
23mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
11nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5.165 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N ONSEMI,
*
FQA70N10
57 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.70 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.70 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.25 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.25 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.07 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.07 USD
Prix net pour les quantités de 60 pcs - 1.99 USDPrix brut pour les quantités de 60 pcs - 1.99 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcsCarton = 450 pcs