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FQA8N100C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1000V; 5A; 225W; TO3PN

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQA8N100C
Référence TME:
FQA8N100C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
5A
Puissance de dissipation
225W
Boîtier
TO3PN
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,45Ω
Montage
THT
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5.22 g
Certificates

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FQA8N100C
441 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs