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FQD11P06TM

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -5,95A; 38W; DPAK

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQD11P06TM
Référence TME:
FQD11P06TM

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-60V
Courant du drain
-5,95A
Puissance de dissipation
38W
Boîtier
DPAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,185Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
17nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.37 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors à canal P SMD ONSEMI,
*
FQD11P06TM
2581 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.69 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.69 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.33 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.33 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.14 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.14 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.79 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.79 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.69 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.69 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.63 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.63 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs