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FQD17P06TM

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -7,6A; 44W; DPAK


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQD17P06TM
Référence TME:
FQD17P06TM

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-60V
Courant du drain
-7,6A
Puissance de dissipation
44W
Boîtier
DPAK
Tension entrée-source
±25V
Résistance en état de conduction
135mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
27nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.391 g
Certificates
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FQD17P06TM
508 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs