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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	900V
Courant du drain	1,08A
Courant du drain dans l'impulsion	6,8A
Puissance de dissipation	50W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	7,2Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	15nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FQD2N90TM

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 900V; 1,08A; Idm: 6,8A; 50W; DPAK

Spécification

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