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FQI7N80TU

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 4,2A; Idm: 26,4A; 167W


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQI7N80TU
Référence TME:
FQI7N80TU

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
4,2A
Courant du drain dans l'impulsion
26,4A
Puissance de dissipation
167W
Boîtier
I2PAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,5Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
52nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.5 g
Certificates
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FQI7N80TU
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