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FQNL2N50BTA

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 220mA; Idm: 1,4A; 1,5W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQNL2N50BTA
Référence TME:
FQNL2N50BTA

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
500V
Courant du drain
0,22A
Courant du drain dans l'impulsion
1,4A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
TO92L
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
5,3Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
8nC
Genre de la emballage
Ammo Pack
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates
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FQNL2N50BTA
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