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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-200V
Courant du drain	-7,27A
Puissance de dissipation	120W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	470mΩ
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

FQP12P20

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -200V; -7,27A; 120W; TO220-3

Spécification