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FQP3N80C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQP3N80C
Référence TME:
FQP3N80C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
1,9A
Courant du drain dans l'impulsion
12A
Puissance de dissipation
107W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
4,8Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
16,5nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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FQP3N80C
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