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FQP6N80C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 3,2A; 158W; TO220AB

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQP6N80C
Référence TME:
FQP6N80C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
3,2A
Puissance de dissipation
158W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
2,5Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
30nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2.005 g
Certificates
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FQP6N80C
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.95 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.95 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 2.31 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 2.31 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.02 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.02 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.50 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.50 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.41 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.41 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 1.33 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 1.33 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs