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FQP8N80C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 5,1A; Idm: 32A; 178W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQP8N80C
Référence TME:
FQP8N80C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
5,1A
Courant du drain dans l'impulsion
32A
Puissance de dissipation
178W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,55Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
45nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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FQP8N80C
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