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FQPF2N80

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQPF2N80
Référence TME:
FQPF2N80

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
0,95A
Courant du drain dans l'impulsion
6A
Puissance de dissipation
35W
Boîtier
TO220FP
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
6,3Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
15nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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*
FQPF2N80
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