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FQPF3N80C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 1,9A; 39W; TO220FP

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQPF3N80C
Référence TME:
FQPF3N80C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
1,9A
Puissance de dissipation
39W
Boîtier
TO220FP
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
4,8Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
16,5nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2.23 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N ONSEMI,
*
FQPF3N80C
9 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.87 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.87 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.30 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.30 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs