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FQT13N06TF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 2,24A; Idm: 11,2A; 2,1W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQT13N06TF
Référence TME:
FQT13N06TF

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
2,24A
Courant du drain dans l'impulsion
11,2A
Puissance de dissipation
2,1W
Boîtier
SOT223
Tension entrée-source
±25V
Résistance en état de conduction
0,14Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
7,5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.2 g
Certificates

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FQT13N06TF
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