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FQT4N20LTF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 0,68A; 2,2W; SOT223


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQT4N20LTF
Référence TME:
FQT4N20LTF

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
200V
Courant du drain
0,68A
Puissance de dissipation
2,2W
Boîtier
SOT223
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
1,4Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
5,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.151 g
Certificates
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FQT4N20LTF
3128 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 4 000 pcs