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FQT4N25TF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 250V; 0,66A; Idm: 3,3A; 2,5W

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQT4N25TF
Référence TME:
FQT4N25TF

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
250V
Courant du drain
0,66A
Courant du drain dans l'impulsion
3,3A
Puissance de dissipation
2,5W
Boîtier
SOT223
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,75Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
5,6nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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FQT4N25TF
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