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FQT7N10LTF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 1,36A; 2W; SOT223

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FQT7N10LTF
Référence TME:
FQT7N10LTF

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
QFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
1,36A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SOT223
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,38Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
6nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.153 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors SMD à canal N ONSEMI,
*
FQT7N10LTF
2312 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.76 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.76 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.39 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.39 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.36 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.36 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 4 000 pcs