FZ2000R33HE4BOSA1
Module: IGBT; transistor/transistor,émetteur commun; IGBT x3
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Marque du fabricant:
FZ2000R33HE4BOSA1
Référence TME:
FZ2000R33HE4BOSA1
Spécification
Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | émetteur commun, transistor/transistor | |
Topologie | IGBT x3 | |
Tension inverse max. | 3,3kV | |
Courant du collecteur | 2kA | |
Boîtier | AG-IHVB190-3 | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 4kA | |
La technologie | TRENCHSTOP™ | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut1.2 kg
Certificates
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* FZ2000R33HE4BOSA1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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