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Fabricant	INFINEON TECHNOLOGIES
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	émetteur commun, transistor/transistor
Topologie	IGBT x3
Tension inverse max.	3,3kV
Courant du collecteur	2kA
Boîtier	AG-IHVB190-3
Montage électrique	vissés
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	4kA
La technologie	TRENCHSTOP™
Montage mécanique	vissés

FZ2000R33HE4BOSA1

Module: IGBT; transistor/transistor,émetteur commun; IGBT x3

Spécification