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FZ600R12KE3HOSA1

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
FZ600R12KE3HOSA1
Référence TME:
FZ600R12KE3HOSA1

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
600A
Boîtier
AG-62MM
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
1,2kA
Puissance de dissipation
2,8kW
Montage mécanique
vissés
Poids brut338.6 g
Certificates
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FZ600R12KE3HOSA1
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 208.83 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 208.83 USD
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