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GD100SGY120D6S

Module: IGBT; transistor simple; transistor simple; Urmax: 1200V

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD100SGY120D6S
Référence TME:
GD100SGY120D6S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Topologie
transistor simple
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
100A
Boîtier
D6
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut24 g
Certificates
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GD100SGY120D6S
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