GD10PJY120L2S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120L2S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD10PJY120L2S
Availability: OutOfStock

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:

GD10PJY120L2S

Référence TME:

GD10PJY120L2S

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 31.77 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 31.77 USD

Prix net pour les quantités de 3 pcs - 28.10 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 28.10 USD

Prix net pour les quantités de 12 pcs - 25.24 USDPrix brut pour les quantités de 12 pcs - 25.24 USD

Prix net pour les quantités de 24 pcs - 23.52 USDPrix brut pour les quantités de 24 pcs - 23.52 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Fabricant	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	diode/transistor
Topologie	boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.	1,2kV
Courant du collecteur	10A
Boîtier	L2.2
Montage électrique	Press-in PCB
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	20A
La technologie	Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique	vissés