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GD1200SGX170C3SN

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; vissés

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD1200SGX170C3SN
Référence TME:
GD1200SGX170C3SN

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
IGBT x2
Tension inverse max.
1,7kV
Courant du collecteur
1,2kA
Boîtier
C3 130mm
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
2,4kA
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut1.5 kg
Certificates
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GD1200SGX170C3SN
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