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GD150MLX65L3S

Module: IGBT; diode/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase; L3.1

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD150MLX65L3S
Référence TME:
GD150MLX65L3S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
onduleur 3-niveaux 1-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
150A
Boîtier
L3.1
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut39 g
Certificates
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GD150MLX65L3S
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