GD15PJY120F1S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120F1S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD15PJY120F1S
Availability: OutOfStock

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:

GD15PJY120F1S

Référence TME:

GD15PJY120F1S

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 40.08 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 40.08 USD

Prix net pour les quantités de 3 pcs - 35.39 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 35.39 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 31.84 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 31.84 USD

Prix net pour les quantités de 25 pcs - 29.66 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 29.66 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantPlateau = 25 pcs

Fabricant	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	diode/transistor
Topologie	boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.	1,2kV
Courant du collecteur	15A
Boîtier	F1.1
Montage électrique	Press-in PCB
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	30A
La technologie	Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique	vissés