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GD1600SGX170C3S

Module: IGBT; transistor/transistor,porte commune; IGBT x2

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD1600SGX170C3S
Référence TME:
GD1600SGX170C3S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
porte commune, transistor/transistor
Topologie
IGBT x2
Tension inverse max.
1,7kV
Courant du collecteur
1,6kA
Boîtier
C3 130mm
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
3,2kA
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut1.5 kg
Certificates
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GD1600SGX170C3S
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