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GD200HFX65C8S

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD200HFX65C8S
Référence TME:
GD200HFX65C8S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
200A
Boîtier
C8 48mm
Montage électrique
FASTON connecteurs, vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
400A
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut200 g
Certificates
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GD200HFX65C8S
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