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GD2400SGY120C3S

Module: IGBT; transistor/transistor,porte commune; Urmax: 1200V

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD2400SGY120C3S
Référence TME:
GD2400SGY120C3S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
porte commune, transistor/transistor
Topologie
transistor simple
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
2,4kA
Boîtier
C3 130mm
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
4,8kA
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut1.5 kg
Certificates
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GD2400SGY120C3S
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Prix net pour les quantités de 8 pcs - 432.90 USDPrix brut pour les quantités de 8 pcs - 432.90 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 8)