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GD35PJY120L3S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0


Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD35PJY120L3S
Référence TME:
GD35PJY120L3S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
35A
Boîtier
L3.0
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
70A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut43.57 g
Certificates
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GD35PJY120L3S
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Méthode d'emballage par le fabricant:Plateau = 16 pcs