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GD40PIY120C5S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD40PIY120C5S
Référence TME:
GD40PIY120C5S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
40A
Boîtier
C5 45mm
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
80A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut174.61 g
Certificates
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GD40PIY120C5S
10 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 80.37 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 80.37 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 71.08 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 71.08 USD
Prix net pour les quantités de 12 pcs - 63.86 USDPrix brut pour les quantités de 12 pcs - 63.86 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantPlateau = 12 pcs